SJ 50033.80-1995 半导体分立器件.CS0513型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
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ID： |
5BB22ED97E5240EF84FA70E1096C7FA9 |
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文件大小(MB)： |
0.56 |
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页数： |
16 |
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日期： |
2024-7-28 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/80-1995,半导体分立器件,CS0513型珅化铁微波功率场,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0513 GaAs microwave power FET,1995-05-25 发布 !995-12-01 实施,中华人民共和国电孑エ业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,CS0513型碎化镇微波功率场 SJ 50033/80-1995,效应晶体管详细规范,Semiconductor discrete devices,Detail specification for type CS0513 GaAs microwave power FET,范围,1.I 主题内容,本规范规定了 CS0513型神化钱微波功率场效应晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制,生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33 1.3条的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特军三级,分别用字母,GP、GT和GCT表示,2引用文件,GB 4586—84场效应晶体管测试方法,GJB 33—85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试腌方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2 .］引出端材料和涂层,引出端材料为可伐合金,引线表面镀金,3.2.2 器件结构,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布 !995-12-01实施,-1 -,SJ 50033/80-1995,采用神化镇N型沟道肖特基势垒栅结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸见图1.,mm,y寸,符M 最小值标称值最大值,A 一— 24,九0.7 一0.9,% 0.7 — 0.9,C 0.09 — 0.15,F 0,85 *** 1.15,K 3.35 — 3.65,L 2.0 — —,积L7 — L9,Q — — L8,q — 6.7 —,5 — 3.35,5 一1040 一,5 3.2 . 3-4,引出端极性:sー底座G-2 D-1,3.3 最大额定值和主要电特性,3.3.1 最大额定值,注:1）当Tc〉25セ时,按26.7mW/セ线性降额,F2,Tc = 25 匕,(W),Vos,(V),￥gdq,(V),#GSO,(V),k,(mA),ね,(C),T砲,(V),4 12 -12 -12 fnss 175 -65-175,一 2,&J 50033/80-1995,3.3.2 主要电特性（Ta = 25じ）,やぐ数,、数、条へ,V\,型号、,Foss,(mA),匕被曲,（V）,gnd,(ms),Foa雨］,(dBm) (dB),九,(GHz) (%),R f th) j r C,(C/W),33V,30V,ル 二 3V,ち二20mA,53V,VGS = O.-1V,Vns" 8V, Jd = 0.4~0.6 10ss,P； =23dBm(CS0513A),P： =24dBm(CS0513B、C),CSO513A,500-1000 -2~ - 5 >200,>31 >8 4,CSO513B >30 37.5,>30 >6,6,CS0513C 8,3.4 电测试要求,电测试应符合GB 4586及本规范的要求,3.5 株志,标志应符合GJB 33和本规范的规定。制造厂可省略器件上的下列标志:,a,器件型号;,.b.产品保证等级;,c.制造厂厂名,代号或商标;,d.检验批识别代码,4质量保证规定,4.1 抽样和检验,抽样和检验应符合GJB 33和本规范的规定,4.2 鉴定检验,鉴定检验应符合GJB 33的规定,4.3 筛选（仅对GT、GCT级）,筛选应按GJB 33的表2和本规范的规定进行。 ,下面测试应按本规范表!进行,超过本规范表!极限雇的器件应予剔除,筛 选,（见GJB 33的表2）,测 试 或试验,3热冲击-65 .1501,6 高温反偏Ta = 150 じ,1 =48h,2 V,7 中间电参数Jossい gmlナビ3(曲,8 功率老化见4.3」,3,SJ 50033/80-1995,续表,?选,（见GJB 33的表2）,*,测 试 或 试 验,9最后测试按本规范表i的A2分组;,初始值的±15%;,△ V的曲《初始值的士 15%或0.5V,取较大者,"gssiエ初始值的10。％或0.1mA,取较大者,4.3.I 功率老化条件,功率老化条件如下:,Tc = 70 ± 5む;尸冋=2.8W; V於=8VO,4.4 质量一致性检验,质量一致性检验应按GJB 33的规定进行,4.4.1 A组检验,A组检照应按GJB 33和本规范表!的规定进行,4.4.2 B组检验,B组检验应按GJB 33和本规范表2的规定进行,4.4.3 C组检验,C组检验应按GJB 33和本规范表3的规定进行,4.5 检验和试验方法,检验和试验方法应按本规范相应的表和下列规定,4.5.1 脉冲测试,脉冲测试应按GJB 128的3.3.2.1条的规定,表1 A组检睑,检験或试验,方法,GB 4586,条 件LTPD 符号,极限值,单位,最小最大,A!分组,外观及机械检验GJB 128,2071,5,A2分组,栅一源截止电压,柵一源短路下的漏,极电流……
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